英飞凌科技（FSE：IFX / OTCQX：IFNNY通过600 V CoolMOS P7和600 V CoolMOS C7 Gold（G7）系列扩展了现有的CoolMOS技术产品组合。该产品系列设计为在600 V击穿电压下工作，并提供改进的超结MOSFET性能。它们在各自的目标应用中实现了无与伦比的功率密度。
600 V CoolMOS P7：高效和易用的优化组合
新推出的P7在设计过程中具有出色的易用性，具有基准效率和优化的性价比。该设备的目标应用包括充电器，适配器，照明，电视，PC电源，太阳能，服务器，电信和EV充电。它适用于100 W至15 kW的功率等级。600 V CoolMOS P7在各种拓扑中的效率提高高达1.5％，与竞争产品相比，可提供高达4.2°C的散热。
对于表面贴装（SMD）和通孔封装，R DS（on）的范围从37mΩ至600mΩ不等，这使600 V CoolMOS P7适用于各种应用和功率范围。此外，超过2 kV（HBM）的出色ESD鲁棒性可保护器件免受生产中的静电放电损害，从而提供更高的制造质量。最终，坚固的二极管在LLC电路的硬换向事件中为器件提供了保护。
600 V CoolMOS C7金色：采用创新的SMD TO-Leadless封装的一流FOM
G7具有较低的R DS（on），最小的栅极电荷Q G，减少了存储在输出电容中的能量以及TO-Leadless封装的4引脚开尔文源功能。这将PFC和LLC电路中的损耗降至最低，并提供0.6％的性能增益以及PFC电路中更高的满载效率。1 nH的低寄生源电感也有助于提高效率。
TO-Leadless封装中改善的热性能使之可以用于更高电流的设计，而SMD技术则可以降低安装过程的成本。此外，600 V CoolMOS C7 Gold具有世界上最低的R DS（on），范围从28mΩ至150mΩ。与传统的D²PAK相比，它的占位面积减少了30％，高度减少了50％，空间减少了60％。这些特性相结合，使该设备成为在服务器，电信，工业和太阳能应用中实现最高效率和基准功率密度的理想选择。
可用性
600 V CoolMOS P7和600 V CoolMOS C7 Gold系列都有大量现货供应，可订购样品。有关更多信息，请访问www.infineon.com/600v-p7和www.infineon.com/c7-gold-toll。
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